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D2012UK	文件：53.88 Kbytes Page：4 Pages	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2012	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012	文件：122.14 Kbytes Page：9 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012DL	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012E	文件：166 Kbytes Page：10 Pages	Powered-offProtection,1??1.8Vto5.5V,SPDTAnalogSwitch(2:1Multiplexer) FEATURES •Lowswitchon-resistance(1) •1.65Vto5.5Vsinglesupplyoperation •Isolationinpowered-offmode •ControllogicinputscangooverV+ •Lowchargeinjection(5pC) •Lowtotalharmonicdistortion •Breakbeforemakeswitching •Latch-upperformanceexceeds300mAperJE	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DGD2012	文件：497.02 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2012SN	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitching	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2012SN	文件：249.6 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DPO2012B	文件：1.03188 Mbytes Page：18 Pages	MixedSignalOscilloscopes	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DPO2012B	文件：961.61 Kbytes Page：18 Pages	MixedSignalOscilloscopes MixedSignalOscilloscopes Offeringupto200MHzbandwidthand1GS/ssamplerate,theMSO/DPO2000BMixedSignalOscilloscopeSeriesfromTektronixdeliversadvanceddebugfeaturesatanentry-levelprice.Quicklyfindanddiagnoseproblemsincomplexdesignswithupto20channelsforanalyzin	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX

详细参数

型号：
D2012UK
制造商：
TT Electronics/ Semelab
功能描述：
MOSFETRFN CHSE28V10W1000MHZDP
功能描述：
MOSFET,RF,N CH,SE,28V,10W,1000MHZ,DP
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
RF POWER TRANSISTOR MOSFET

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