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CZRB2012	文件：97.36 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Zener Diode Voltage:11-100VoltsPower:2.0Watt Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIlessthan1uAabove11VD -Highte	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
D2012	文件：24.28 Kbytes Page：1 Pages	SiNPNTRANSISTOR DESCRIPTIONANDFEATURES 1.Collector-Emittervoltage:BVCBO=60V 2.Collectorcurrentupto3A 3.HighhFElinearity	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
D2012	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
D2012UK	文件：53.88 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2012	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012	文件：122.14 Kbytes Page：9 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012DL	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012E	文件：166 Kbytes Page：10 Pages	Powered-offProtection,1??1.8Vto5.5V,SPDTAnalogSwitch(2:1Multiplexer) FEATURES •Lowswitchon-resistance(1) •1.65Vto5.5Vsinglesupplyoperation •Isolationinpowered-offmode •ControllogicinputscangooverV+ •Lowchargeinjection(5pC) •Lowtotalharmonicdistortion •Breakbeforemakeswitching •Latch-upperformanceexceeds300mAperJE	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DGD2012	文件：497.02 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2012SN	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitching	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
CZRB2012
制造商：
COMCHIP
制造商全称：
Comchip Technology
功能描述：
Surface Mount Zener Diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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