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D2012	文件：24.28 Kbytes Page：1 Pages	Si NPN TRANSISTOR DESCRIPTIONANDFEATURES 1.Collector-Emittervoltage:BVCBO=60V 2.Collectorcurrentupto3A 3.HighhFElinearity	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
D2012	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
D2012UK	文件：53.88 Kbytes Page：4 Pages	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2012	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012	文件：122.14 Kbytes Page：9 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012DL	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012E	文件：166 Kbytes Page：10 Pages	Powered-offProtection,1??1.8Vto5.5V,SPDTAnalogSwitch(2:1Multiplexer) FEATURES •Lowswitchon-resistance(1) •1.65Vto5.5Vsinglesupplyoperation •Isolationinpowered-offmode •ControllogicinputscangooverV+ •Lowchargeinjection(5pC) •Lowtotalharmonicdistortion •Breakbeforemakeswitching •Latch-upperformanceexceeds300mAperJE	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DGD2012	文件：497.02 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2012SN	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitching	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2012SN	文件：249.6 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
D2012
制造商：
Dagnall Electronics
功能描述：
TRANSFORMER 1.5VA 2 X 8V

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