DGD2012集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DGD2012 |
| 参数属性 | DGD2012 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K |
| 功能描述 | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
497.02 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 13:18:00 |
| 人工找货 | DGD2012价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
DGD2012S8-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
40ns，20ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
2021/2022+ |
标准封装 |
12000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2450+ |
SOP-8 |
6540 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
SO8 |
90000 |
正规代理渠道假一赔十 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
2511 |
标准封装 |
12000 |
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询价 | ||
Diodes Incorporated |
23+ |
- |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOP-8 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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N/A |
56000 |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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询价 | ||
DIODES(美台) |
2447 |
SO-8 |
315000 |
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