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DGD2003S8-13集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DGD2003S8-13 |
参数属性 | DGD2003S8-13 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
功能描述 | HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-8 |
丝印标识 | |
封装外壳 | SO-8 / 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
文件大小 |
741.59 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | DIODES |
中文名称 | 美台半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-12 22:59:00 |
人工找货 | DGD2003S8-13价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DGD2003S8-13规格书详情
DGD2003S8-13属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由美台半导体制造生产的DGD2003S8-13栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
特性 Features
- Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 200V
- Drives Two N-Channel MOSFETs in a Half-Bridge Configuration
- 290mA Source/600mA Sink Output Current Capability
- Outputs Tolerant to Negative Transients
- Internal Dead Time of 420ns to Protect MOSFETs
- Wide Low Side Gate Driver Supply Voltage: 10V to 20V
- Logic Input (HIN and LIN*) 3.3V Capability
- Schmitt Triggered Logic Inputs
- Undervoltage Lockout for High-Side and Low-Side Drivers
- Extended Temperature Range: -40°C to +125°C
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony free. “Green” Device (Note 3)
- For automotive applications requiring specific change control
Applications
- Battery Power Tools and Appliances
- Light Electric Vehicles (LEV)
- Inverters
产品属性
更多- 产品编号:
DGD2003S8-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
290mA,600mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
70ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO 类 TH
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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