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HA3808-AL	文件：253.7 Kbytes Page：9 Pages	High-Vin,High-EfficiencyPowerSolutionUsingDC/DCConverterWithDVFS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HA3808-AL	文件：201.3 Kbytes Page：2 Pages	PowerInductor	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
HM3808	文件：1.25776 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IIRF3808	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3808	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3808	文件：131.039 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.007ohm,Id=140A?? Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtempe	IRF International Rectifier	IRF
IRF3808	文件：831.94 Kbytes Page：9 Pages	IntegratedStarterAlternator Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemper	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3808L	文件：162.73 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemper	IRF International Rectifier	IRF
IRF3808L	文件：300.96 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fastswitchingspeedandimproved	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
AUIRF3808S
功能描述：
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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