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IRF3808规格书详情
描述 Description
Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable choice for use in higher power Automotive electronic systems and a wide variety of other applications.
Benefits
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Typical Applications
● Integrated Starter Alternator
● 42 Volts Automotive Electrical Systems
产品属性
- 型号：
IRF3808
- 功能描述：
MOSFET N-CH 75V 106A TO-262
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
26+ |
TO-220AB |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
IR |
2025+ |
N/A |
70000 |
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IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
5500 |
现货,全新原装 |
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IR |
24+ |
TO-220 |
39996 |
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IR |
26+ |
TO-220铁头 |
58 |
原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单 |
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25+ |
10 |
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询价 |
