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HM3808	文件：1.25776 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enha ncement Mode MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IIRF3808	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3808	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3808	文件：131.039 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.007ohm,Id=140A?? Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtempe	IRF International Rectifier	IRF
IRF3808	文件：831.94 Kbytes Page：9 Pages	IntegratedStarterAlternator Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemper	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3808L	文件：162.73 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemper	IRF International Rectifier	IRF
IRF3808L	文件：300.96 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisAdvancedPlanarStripeHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fastswitchingspeedandimproved	IRF International Rectifier	IRF
IRF3808LPBF	文件：264.76 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF3808PBF	文件：213.27 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFETÆPowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtem	IRF International Rectifier	IRF

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