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HM3808	文件：1.25776 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enha ncement Mode MOSFET 文件：1.25776 Mbytes 页数：4 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM3808	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
IIRF3808	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3808	文件：131.039 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A?? Description Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest process ing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating tempe 文件：131.039 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF3808	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
80.00V
ID(Max)ID(A)：
150.00A
IDM：
600.00A
VTH(Typ)：
2.60V
VGS：
25.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
3.60mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRF3808/AOT280

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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