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AUIRF1405ZSTRL	文件：350.73 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：350.73 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF1405ZSTRL	文件：319.46 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improv 文件：319.46 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
AUIRF1405ZSTRR	文件：319.46 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improv 文件：319.46 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
AUIRFBA1405	文件：217.49 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit com bined with the fast switching speed and ruggedized device design that 文件：217.49 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
AUIRFBA1405	文件：217.49 Kbytes Page：12 Pages	Low on-resistance 文件：217.49 Kbytes 页数：12 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
AUIRF1405ZSTRL
功能描述：
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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