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AUIRFR5505

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

AUIRFR5505

AUTOMOTIVE GRADE

文件:538.07 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

AUIRFR5505

汽车 Q101 -55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

\n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅,符合 RoHS\n• 通过汽车认证;

Infineon

英飞凌

AUIRFR5505TR

HEXFET짰 Power MOSFET

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AUIRFR5505TRL

HEXFET짰 Power MOSFET

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AUIRFR5505TRL

AUTOMOTIVE GRADE

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英飞凌

AUIRFR5505TRR

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

技术参数

  • VDS max:

    -55.0V

  • ID (@ TC=25°C) max:

    -18.0A

  • ID (@ TC=100°C) max:

    -11.0A

  • ID  max:

    -11.0A

  • RDS (on)(@10V) max:

    110.0mΩ

  • QG(typical) :

    21.3nC 

  • Mounting :

    SMD

  • VGS max:

    20.0V

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • Polarity :

    P

  • Qgd :

    10.0nC 

  • Tj max:

    150.0°C

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更多AUIRFR5505供应商 更新时间2026-1-29 15:35:00