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AUIRF2903Z	文件：211.45 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：211.45 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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AUIRF2903ZL	文件：235.57 Kbytes Page：14 Pages	Low On-Resistance 文件：235.57 Kbytes 页数：14 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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AUIRF2903ZS	文件：713.5 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：713.5 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF2903ZS	文件：235.57 Kbytes Page：14 Pages	Advanced Process Technology Low On-Resistance 文件：235.57 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
AUIRF2903ZSTRL	文件：713.5 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：713.5 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF2903Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF2903ZL	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF2903ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 30V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

RDS (on)(@10V) max：
2.4mΩ
QG(typical) ：
160.0nC
VDS max：
30.0V
ID (@ TC=100°C) max：
180.0A
ID max：
180.0A
ID (@ TC=25°C) max：
260.0A
RthJC max：
0.51K/W
Ptot max：
290.0W
Mounting ：
THT
Polarity ：
N
VGS max：
20.0V
Qgd ：
58.0nC
Tj max：
175.0°C

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