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AUIRFR48Z	文件：1.25203 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repet 文件：1.25203 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AUIRFR48Z	文件：298.43 Kbytes Page：13 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：298.43 Kbytes 页数：13 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AUIRFR48Z	文件：298.43 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：298.43 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFR48Z	文件：684.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：684.58 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFR48ZTR	文件：1.25203 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repet 文件：1.25203 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AUIRFR48ZTRL	文件：1.25203 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repet 文件：1.25203 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AUIRFR48ZTRR	文件：1.25203 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repet 文件：1.25203 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AUIRFR48ZTR	文件：298.43 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：298.43 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFR48ZTRL	文件：298.43 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：298.43 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFR48ZTRL	文件：684.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：684.58 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

OPN：
AUIRFR48Z/AUIRFR48ZTRL
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
11 mΩ
ID @25°C max：
42 A
QG typ @10V：
40 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
Gen 10.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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