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BW-30N100W	文件：190.4 Kbytes Page：2 Pages	N-TypeFixedAttenuator	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
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IHW30N100R	文件：330 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW30N100R	文件：370.91 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW30N100R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW30N100T	文件：360.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW30N100T	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IXFX30N100	文件：367.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTB30N100L	文件：307.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTB30N100L	文件：97.81 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFETswithExtendedFBSOA	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTN30N100L	文件：97.81 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFETswithExtendedFBSOA	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTN30N100L	文件：134.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
RM30N100LD	文件：318.35 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON

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北京三盛恒业电子有限公司	ASDM30N100KQ-R	ASCEND	21+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
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深圳市宇集芯电子有限公司	ASDM30N90KQ	ASCEND安森德	24+	TO-252	10000	原装正品	询价
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深圳市云美电子科技有限公司	ASDM30P11TD	ASCEND	22+	DFN3*3	34000	只做原装进口现货	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	ASDM30P11TD	ASDSEMI/安森德	22+	DFN3X3	12500	原装正品支持实单	询价
深圳市华芯购电子有限公司	ASDM30P30CTD-R	ASCEND	22+	N/A	22632		询价

更多ASDM30N100KQ-R供应商更新时间2023-10-9 11:26:00

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