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IGW30N100T	文件：802.72 Kbytes Page：11 Pages	Marking：G30T100；Package：PG-TO247-3；Low Loss IGBT: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat Designedf	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW30N100TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：330 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：370.91 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T	文件：360.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IXFK30N100	文件：328.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX30N100	文件：367.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTB30N100L	文件：307.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IGW30N100T
功能描述：
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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