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IGW30N100T分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IGW30N100T
厂商型号

IGW30N100T

参数属性

IGW30N100T 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

功能描述

Low Loss IGBT: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

文件大小

802.72 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-29 10:18:00

IGW30N100T规格书详情

Low Loss IGBT: IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology

• TrenchStop® and Fieldstop technology for 1000 V applications

offers:

- low VCEsat

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- positive temperature coefficient in VCEsat

• Designed for:

- frequency Converters

- uninterrupted Power Supply

• Low EMI

• Low gate charge

• Qualified according to JEDEC for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

IGW30N100T属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IGW30N100T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IGW30N100TFKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    3.8mJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    33ns/535ns

  • 测试条件:

    600V,30A,16 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
10+
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6000
绝对原装自己现货
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只做原装只有原装假一罚百可开增值税票
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标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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