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APT6030BVR	文件：61.85 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWERMOSV®MOSFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT6030BVR	文件：116.22 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWERMOSV®MOSFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT6030BVR	文件：420.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT6030BVR_04	文件：116.22 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWERMOSV®MOSFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT6030DN	文件：328.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodep	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT6030SVFR	文件：142.99 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT6030SVR	文件：116.22 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV®MOSFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ASITPV6030	文件：14.69 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASITPV6030isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=9.5dBat35W/860MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
ATFN6030A	文件：72.25 Kbytes Page：2 Pages	CrystalFilter	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
BD6030GSW	文件：209.2 Kbytes Page：6 Pages	NegativepowersupplyforCCDcameraofmobilephones	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
APT6030BVR
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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更多APT6030BVR供应商更新时间2025-7-22 16:30:00

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