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APT6030BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT6030DN	文件：328.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=21A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.3Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch mode p 文件：328.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT6030SVFR	文件：142.99 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：142.99 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT6030SVR	文件：116.22 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® MOSFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：116.22 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW

详细参数

型号：
APT6030BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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