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APT40GR120B2SCD10	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT40GR120B2SCD10	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT40GR120B2SCD10	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT IGBT & Trench IGBT The APT40GR120B2SCD10 Ultra Fast NPT - IGBT® is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch-Through Technology, the Ultra Fast NPT-IGBT® offers superior ruggedness and ultrafast switching speed.FeaturesLow Saturation VoltageLow Tail CurrentShort Circuit Withstand RatedHigh Frequenc	Microchip 微芯科技	Microchip
APT40GR120B2SCD10	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 88A 500W TO247	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
APT40GR120B2SCD10
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，40A
开关能量：
929µJ（开），1070µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/166ns
测试条件：
600V，40A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 1200V 88A 500W TO247

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