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APT100GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT100GN60B2G

IGBT

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APT100GN60B2G

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APT100GN60B2G

Package:TO-247-3 变式;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT100GN60B2

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

产品属性

  • 产品编号:

    APT100GN60B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    4.7mJ(开),2.675mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/310ns

  • 测试条件:

    400V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 600V 229A 625W TMAX

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更多APT100GN60B2G供应商 更新时间2025-5-28 15:01:00