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零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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APT100GN60B2G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
APT100GN60B2G | IGBT | ADPOW Advanced Power Technology | ADPOW | |
APT100GN60B2G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
APT100GN60B2G | Power Semiconductors Power Modules | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
APT100GN60B2G | Package:TO-247-3 变式;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
IGBT | ADPOW Advanced Power Technology | ADPOW |
产品属性
- 产品编号:
APT100GN60B2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.85V @ 15V,100A
- 开关能量:
4.7mJ(开),2.675mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
31ns/310ns
- 测试条件:
400V,100A,1 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 描述:
IGBT 600V 229A 625W TMAX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
KIA |
23+ |
TO-220F |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
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询价 | ||
ADPOW |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
APT |
23+ |
T-MAX |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
APT |
22+ |
T-MAX |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
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