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APT100GN60B2G	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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APT100GN60B2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
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产品属性

产品编号：
APT100GN60B2G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，100A
开关能量：
4.7mJ（开），2.675mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
31ns/310ns
测试条件：
400V，100A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 600V 229A 625W TMAX

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