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APT13003DI-G1	文件：655.18 Kbytes Page：11 Pages	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR GeneralDescription TheAPT13003Disahighvoltage,highspeed,highefficiencyswitchingtransistor,anditisspeciallydesignedforoff-lineswitchmodepowersupplieswithlowoutputpower. TheAPT13003DisavailableinTO-92(bulkorammopacking),TO-126andTO-251packages. Features •	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
APT13003DI-G1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 1.5A TO251	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM

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APT13003DI-G1

文件：655.18 Kbytes

Page：11 Pages

HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

GeneralDescription TheAPT13003Disahighvoltage,highspeed,highefficiencyswitchingtransistor,anditisspeciallydesignedforoff-lineswitchmodepowersupplieswithlowoutputpower. TheAPT13003DisavailableinTO-92(bulkorammopacking),TO-126andTO-251packages. Features •

BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited

新进半导体上海新进半导体制造有限公司

BCDSEMI

APT13003DI-G1

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：散装封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 1.5A TO251

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

PAM

产品属性

产品编号：
APT13003DI-G1
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 250mA，1A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TO-251
描述：
TRANS NPN 450V 1.5A TO251

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