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APT150GN60B2G	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT150GN60B2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 220A 536W SOT227	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT150GN60B2	文件：178.2 Kbytes Page：6 Pages	ThunderboltIGBT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
APT150GN60B2G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
托盘
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，150A
开关能量：
8.81mJ（开），4.295mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
44ns/430ns
测试条件：
400V，150A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 600V 220A 536W SOT227

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