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|---|---|---|---|---|
APT150GN60B2G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT150GN60B2G | Thunderbolt IGBT 文件：178.2 Kbytes 页数：6 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT150GN60B2G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 页数：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT150GN60B2G | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT150GN60B2G | IGBT w/o anti-parallel diode | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT150GN60B2G | Package：TO-247-3 变式；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 220A 536W SOT227 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
产品属性
- 产品编号：
APT150GN60B2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
托盘
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，150A
- 开关能量：
8.81mJ（开），4.295mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
44ns/430ns
- 测试条件：
400V，150A，1 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3 变式
- 描述：
IGBT 600V 220A 536W SOT227
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
25+ |
N/A |
5600 |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-252 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
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询价 | ||
MICROSEMI |
25+ |
SMD |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Microchip Technology |
25+ |
TO-247-3 变式 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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