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APT15GN120BDQ1G	文件：170.21 Kbytes Page：9 Pages	High Speed PT IGBT Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature 文件：170.21 Kbytes 页数：9 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT15GN120BDQ1G	文件：226.96 Kbytes Page：9 Pages	ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature 文件：226.96 Kbytes 页数：9 Pages	ADPOW	ADPOW
APT15GN120BDQ1G	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 页数：44 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT15GN120BDQ1G	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT15GN120BDQ1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/ anti-parallel diode	Microchip 微芯科技	Microchip
APT15GN120BDQ1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 45A 195W TO247	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
APT15GN120BDQ1G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
开关能量：
410µJ（开），950µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/150ns
测试条件：
800V，15A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 1200V 45A 195W TO247

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