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APT15GN120BDQ1G分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
APT15GN120BDQ1G |
| 参数属性 | APT15GN120BDQ1G 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 45A 195W TO247 |
| 功能描述 | High Speed PT IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
170.21 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-26 20:00:00 |
| 人工找货 | APT15GN120BDQ1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APT15GN120BDQ1G规格书详情
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature coeffi cient. Low gate charge simplifi es gate drive design and minimizes losses.
• 1200V Field Stop
• Trench Gate: Low VCE(on)
• Easy Paralleling
Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS
产品属性
- 产品编号：
APT15GN120BDQ1G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
- 开关能量：
410µJ（开），950µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/150ns
- 测试条件：
800V，15A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 45A 195W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
TO-220 |
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询价 | ||
Microch |
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APT |
24+ |
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APT |
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23+ |
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Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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