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APT15F60B | N-Channel FREDFET 文件:184.05 Kbytes 页数:4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT15F60B | N-Channel FREDFET | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
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Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial 文件:249.89 Kbytes 页数:5 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
FAST RECOVERY DIODE APPLICATIONS Inverters Switch power supply PFC Anti Parallel Diode FEATURES Internal isolated package Low power loss, high efficiency High reliability 文件:426.46 Kbytes 页数:5 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | JSMC |
详细参数
- 型号:
APT15F60B
- 功能描述:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
POWER MOS 8™
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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