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APT200GN60B2G	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT200GN60B2G	文件：168.81 Kbytes Page：6 Pages	Field Stop IGBT 文件：168.81 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT200GN60B2G	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT200GN60B2G	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT200GN60B2G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/o anti-parallel diode	Microchip 微芯科技	Microchip
APT200GN60B2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 283A 682W TO247	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

产品属性

产品编号：
APT200GN60B2G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
托盘
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，200A
开关能量：
13mJ（开），11mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/560ns
测试条件：
400V，200A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 283A 682W TO247

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