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APT15GP90BDQ1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/ anti-parallel diode ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT15GP90BDQ1G	文件：424.5 Kbytes Page：9 Pages	POWER MOS 7 IGBT 文件：424.5 Kbytes 页数：9 Pages	ADPOW	ADPOW
APT15GP90BDQ1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 43A 250W TO247	Microchip 微芯科技	Microchip
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产品属性

产品编号：
APT15GP90BDQ1G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 7®
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，15A
开关能量：
200µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/33ns
测试条件：
600V，15A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 900V 43A 250W TO247

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