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APT13005DT-G1	文件：558.57 Kbytes Page：7 Pages	Marking：APT13005DT-G1；Package：TO220AB；450V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR Features BVCEO>450V BVCES>700V BVEBO>9V IC=4AHighCollectorCurrent IntegratedAnti-ParallelDiodetoactasfree-wheelingdiode Anti-Saturationfeature Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsr	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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APT13005DT-G1

文件：558.57 Kbytes

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Marking：APT13005DT-G1；Package：TO220AB；450V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR

Features BVCEO>450V BVCES>700V BVEBO>9V IC=4AHighCollectorCurrent IntegratedAnti-ParallelDiodetoactasfree-wheelingdiode Anti-Saturationfeature Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsr

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

APT13005DT-G1

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Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 4A TO220-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
APT13005DT-G1
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
900mV @ 1A，4A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 2A，5V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 450V 4A TO220-3

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