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APT13005DT-G1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
APT13005DT-G1 |
| 参数属性 | APT13005DT-G1 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 450V 4A TO220-3 |
| 功能描述 | 450V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO220AB / TO-220-3 |
| 文件大小 |
558.57 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-21 17:11:00 |
| 人工找货 | APT13005DT-G1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APT13005DT-G1规格书详情
APT13005DT-G1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的APT13005DT-G1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
BVCEO > 450V
BVCES > 700V
BVEBO > 9V
IC = 4A High Collector Current
Integrated Anti-Parallel Diode to act as free-wheeling diode
Anti-Saturation feature
Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
For automotive applications requiring specific change control
Applications
Battery Chargers for Mobile Phone / Tablets / Smartphones
Power Supply for DVD / STB
LED Lighting
产品属性
更多- 产品编号：
APT13005DT-G1
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
900mV @ 1A，4A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 2A，5V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN 450V 4A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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