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APT100GN60B2G分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

APT100GN60B2G

参数属性

APT100GN60B2G 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX

功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

封装外壳

TO-247-3 变式

文件大小

2.83333 Mbytes

页面数量

44 页

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

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数据手册

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更新时间

2026-10-7 19:03:00

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APT100GN60B2G规格书详情

POWER MOS 7® MOSFET

Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.

• Lower Input Capacitance

• Increased Power Dissipation

• Lower Miller Capacitance

• Easier To Drive

• Lower Gate Charge, Qg

• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package

产品属性

  • 产品编号:

    APT100GN60B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    4.7mJ(开),2.675mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/310ns

  • 测试条件:

    400V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 600V 229A 625W TMAX

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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