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APT100GN120B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon

文件:2.83333 Mbytes 页数:44 Pages

Microsemi

美高森美

APT100GN120B2G

Thunderbolt IGBT

文件:134.07 Kbytes 页数:6 Pages

Microsemi

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APT100GN120B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件:9.86083 Mbytes 页数:44 Pages

Microsemi

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APT100GN120B2G

Power Semiconductors Power Modules

文件:2.83336 Mbytes 页数:44 Pages

Microsemi

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APT100GN120B2G

IGBT w/o anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT100GN120B2G

Package:TO-247-3 变式;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Microchip

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    APT100GN120B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    11mJ(开),9.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/615ns

  • 测试条件:

    800V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 描述:

    IGBT 1200V 245A 960W TMAX

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更多APT100GN120B2G供应商 更新时间2025-12-15 17:07:00