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APT100GN120J	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT100GN120J	文件：412.97 Kbytes Page：6 Pages	IGBT 文件：412.97 Kbytes 页数：6 Pages	ADPOW	ADPOW
APT100GN120J	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT100GN120J	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT100GN120JDQ4	文件：199.3 Kbytes Page：9 Pages	Thunderbolt IGBT 文件：199.3 Kbytes 页数：9 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
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APT100GN120JDQ4	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT100GN120J	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/o anti-parallel diode	Microchip 微芯科技	Microchip
APT100GN120J	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-227-4，miniBLOC；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APT100GN120JDQ4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/ anti-parallel diode	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
APT100GN120J
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
配置：
单路
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，100A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：
ISOTOP®
描述：
IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP

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