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APT100GN120J中文资料IGBT w/o anti-parallel diode数据手册Microchip规格书

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厂商型号

APT100GN120J

参数属性

APT100GN120J 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP

功能描述

IGBT w/o anti-parallel diode
IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP

封装外壳

SOT-227-4,miniBLOC

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 13:50:00

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APT100GN120J规格书详情

简介

APT100GN120J属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APT100GN120J晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

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  • 产品编号:

    APT100GN120J

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,100A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商器件封装:

    ISOTOP®

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MROSEMI/美高森美
24+
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