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APT100GLQ65JU3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

APT100GLQ65JU3

参数属性

APT100GLQ65JU3 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP

功能描述

650V/Buck chopper/IGBT modules
IGBT 600V 100A 430W ISOTOP

封装外壳

SOT-227-4,miniBLOC

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:24:00

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APT100GLQ65JU3规格书详情

描述 Description

IGBT 3 fastLow voltage dropLow leakage currentLow switching lossesKelvin emitter for easy driveLow stray inductanceStable temperature behaviorVery ruggedDirect mounting to heatsink (isolated package)Low junction to case thermal resistanceInternal thermistor for temperature monitoring (optional)Easy paralleling due to positive TC of VCEsatLow profileRoHS Compliant

特性 Features

• Configuration: Buck chopper
• VCES (V): 650
• VCESat (V): 1.85
• Current (A) Tc=80C: 100
• Silicon type: TRENCH 3 FAST
• Package: SOT227

简介

APT100GLQ65JU3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APT100GLQ65JU3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :APT100GLQ65JU3

  • 生产厂家

    :Microchip

  • Product Type

    :IGBT

  • VCES (V)

    :650

  • VCEsat (V)

    :1.85

  • Current (A) Tc=80 C

    :100

  • Silicon Type

    :TRENCH 3 FAST

  • PKG

    :SOT227

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