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BSR110GE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BSR110JE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BSR110KE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BSR110ME	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BSS110	文件：76.96 Kbytes Page：9 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES •Lowthresholdvoltage •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •Highspeedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS110	文件：80.51 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Pchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS110	文件：285.09 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BT110S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BTS110	文件：560.58 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BTS110	文件：320.67 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS110	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ110S	文件：122.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ110S	文件：139.69 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS짰PowerTransistor SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01Ω ContinuousdraincurrentID80A Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175˚Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ110SL	文件：121.06 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BV-SMAJ110A	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	Bencent 槟城电子	Bencent
BV-SMAJ110CA	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	Bencent 槟城电子	Bencent
BV-SMBJ110A	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	Bencent 槟城电子	Bencent
BV-SMBJ110CA	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	Bencent 槟城电子	Bencent
BV-SMCJ110A	文件：185.31 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	Bencent 槟城电子	Bencent
BV-SMCJ110CA	文件：185.31 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	Bencent 槟城电子	Bencent

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详细参数

型号：
AOW110-B,R,G
制造商：
IDEC CORPORATION
功能描述：
TW FLUSH PB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AOW110-BGR	IDEC	2021+		444239	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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深圳市瑞新盛科技有限公司	AOW11N60	AOS		TO-262	20000	原装正品	询价
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深圳市百域芯科技有限公司	AOW11N60	AOS/万代	21+	TO-262	30000	优势供应实单必成可13点增值税	询价
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更多AOW110-B,R,G供应商更新时间2024-6-19 11:09:00

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