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AOWF7S60	文件：276.86 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW7S60 & AOWF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability the 文件：276.86 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOWF7S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 7A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOB7S60	文件：1.10574 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：1.10574 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB7S60	文件：293.19 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOT7S60 & AOB7S60 & AOTF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche c 文件：293.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB7S60	文件：299.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package：
TO262F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
7
PD @ 25°C (W)：
25
10V：
600
Qg (10V)(nC)：
8.20
VGS(th) max (V)：
3.90
Ciss (pF)：
372
Coss (pF)：
28
Crss (pF)：
1.20
Qgd (nC)：
2.80
tD(on) (ns)：
19
tD(off) (ns)：
50
Trr (ns)：
198
Qrr (nC)：
2400
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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