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AOWF4N60

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V,4A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOWF4N60

600V,4A N-Channel MOSFET

文件:307.73 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

B4N60D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.92839 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

BLV4N60

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:495.83 Kbytes 页数:6 Pages

BELLING

上海贝岭

BLV4N60

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:385.18 Kbytes 页数:6 Pages

ESTEK

伊泰克电子

技术参数

  • Package:

    TO262F

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    4

  • PD @ 25°C (W):

    25

  • 10V:

    2300

  • Qg (10V)(nC):

    12

  • VGS(th) max (V):

    4.50

  • Ciss (pF):

    528

  • Coss (pF):

    53

  • Crss (pF):

    4.80

  • Qgd (nC):

    4.40

  • tD(on) (ns):

    17

  • tD(off) (ns):

    34

  • Trr (ns):

    190

  • Qrr (nC):

    2400

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AOS/万代
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TO-262F
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更多AOWF4N60供应商 更新时间2026-1-19 10:02:00