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MS12N65	文件：389.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MSF12N65	文件：1.02805 Mbytes Page：7 Pages	650VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTN12N65FP	文件：414.61 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
P12N65	文件：1.10581 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P12N65F	文件：947.37 Kbytes Page：6 Pages	Silicon650VN-ChannelMOS	NIUHANG Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD	NIUHANG
P12N65HA	文件：1.03392 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PFF12N65	文件：1.033839 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PJF12N65	文件：232.14 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •12A,650V,RDS(ON)=0.8Ω@VGS=10V,ID=6.0A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJP12N65	文件：232.14 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •12A,650V,RDS(ON)=0.8Ω@VGS=10V,ID=6.0A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
QF12N65	文件：1.10604 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM12N65B	文件：1.10581 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM12N65F	文件：1.30879 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM12N65P	文件：1.10603 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFP12N65	文件：487.8 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SFP12N65	文件：1.10621 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIF12N65C	文件：418.98 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司	SISEMIC
SIHB12N65E	文件：160.76 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB12N65E	文件：160.04 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Ser	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB12N65E	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHF12N65E	文件：319.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
AOTF12N65
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOTF12N65供应商更新时间2024-5-21 10:00:00

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