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UR6512	文件：192.72 Kbytes Page：6 Pages	2ADDRBUSTERMINATIONREGULATOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VMR6512	文件：317.03 Kbytes Page：5 Pages	VMR6512Hi-FiAudioFMTransmitterModule GeneralDescriptionVMR6512isahighlyintegratedFMaudiosignaltransmittermodule.Itintegratesadvanceddigitalsignalprocessor(DSP),frequencysynthesizerRFpoweramplifierandmatchingnetwork.SoitcanrealizeFMaudiomodulationwithoutanyexternalcomponents.VMR6512canalsoachiev	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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UR6512

文件：192.72 Kbytes

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

VMR6512

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VMR6512Hi-FiAudioFMTransmitterModule

GeneralDescriptionVMR6512isahighlyintegratedFMaudiosignaltransmittermodule.Itintegratesadvanceddigitalsignalprocessor(DSP),frequencysynthesizerRFpoweramplifierandmatchingnetwork.SoitcanrealizeFMaudiomodulationwithoutanyexternalcomponents.VMR6512canalsoachiev

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XCSTE6512

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plasticsafetyswitchXCSTE-1NO1NC-slowbreak-1entrytappedM16-24V

SCHNEIDERSchneider electric

施耐德施耐德电气

SCHNEIDER

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详细参数

型号：
AON6512
功能描述：
MOSFET N CH 30V 30A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AON6512供应商更新时间2024-5-24 10:02:00

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