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|---|---|---|---|---|
AOT260L | 60V N-Channel MOSFET General Description The AOT(B)260L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Crss.In addition, switching behavior is well controlled wit 文件：297.26 Kbytes 页数：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
AOT260L | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.19 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
AOT260L | 中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET | AOS 美国万代 | AOS | |
Plastic Encapsulated Device 文件：39.73 Kbytes 页数：3 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.31 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：305.96 Kbytes 页数：7 Pages | BCDSEMI 新进半导体 | BCDSEMI |
技术参数
- Package：
TO220
- Configuration：
Single
- Polarity：
N
- VDS (V)：
60
- VGS (±V)：
20
- 10V：
2.50
- 6V：
2.90
- ID @ 25°C (A)：
140
- PD @ 25°C (W)：
330
- Qg (10V)(nC)：
150
- VGS(th) max (V)：
3.20
- Ciss (pF)：
11800
- Coss (pF)：
1360
- Crss (pF)：
40
- Qgd (nC)：
15
- tD(on) (ns)：
30
- tD(off) (ns)：
74
- Trr (ns)：
32
- Qrr (nC)：
200
- Qualification：
Industrial
- ESD Diode：
No
- Tj max (°C)：
175
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
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AOS/万代 |
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