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AON6512	文件：287 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel AlphaMOS GeneralDescription •LatestTrenchPowerAlphaMOS(αMOSLV)technology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant VDS30V ID(atVGS=10V)150A RDS(ON)(atVGS=10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON6512	文件：310.78 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP6512	文件：1.7929 Mbytes Page：36 Pages	BobbintronElectricalCorporation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AP6512A	文件：1.7929 Mbytes Page：36 Pages	BobbintronElectricalCorporation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD6512F	文件：413.72 Kbytes Page：21 Pages	2chHighSideSwitchICsforUSBDevicesandMemoryCards	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD6512F	文件：215.45 Kbytes Page：6 Pages	High-SideSwitch Description HighsideswitchforUSBisahighsideswitchhavingovercurrentprotectionusedinpowersupplylineofuniversalserialbus(USB).ItsswitchunithastwochannelsofN-channelpowerMOSFET,andcurrentof500mAasUSBstandardcanbeflowntotherespectivechannels.And,overcu	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BH6512FS	文件：116.21 Kbytes Page：6 Pages	4-channelPWMdriverforCDandMDuse	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BX6512	文件：74.55 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
FDD6512A	文件：74.73 Kbytes Page：5 Pages	20VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6512A	文件：351.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=21mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AON6512
功能描述：
MOSFET N CH 30V 30A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AON6512供应商更新时间2025-7-23 14:01:00

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