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AON6512 | 30V N-Channel AlphaMOS General Description • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS • Low Gate Charge • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant VDS 30V ID(at VGS=10V) 150A RDS(ON)(at VGS=10V) 文件：287 Kbytes 页数：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
AON6512 | N-Channel MOSFET 文件：310.78 Kbytes 页数：7 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | |
AON6512 | 低压MOSFET (12V - 30V) 30V N-Channel MOSFET | AOS 美国万代 | AOS | |
Bobbintron Electrical Corporation 文件：1.7929 Mbytes 页数：36 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
Bobbintron Electrical Corporation 文件：1.7929 Mbytes 页数：36 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
2ch High Side Switch ICs for USB Devices and Memory Cards 文件：413.72 Kbytes 页数：21 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM |
详细参数
- 型号：
AON6512
- 功能描述：
MOSFET N CH 30V 30A DFN5X6
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025 |
DFN3X3 |
3202 |
国产南科 |
询价 | ||
AOS |
23+ |
N/A |
10000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
AOS美国万代 |
24+ |
DFN5*6 |
189008 |
专营AOS美国万代 优势现货 AOS全系列 场效应管 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
DFN56 |
10000 |
绝对全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
询价 | ||
AOS/万代 |
25+ |
DFN |
32000 |
AOS/万代全新特价AON6512即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2019+ |
DFN |
6700 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
AOS |
21+ |
DNF5X6 |
9000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
DFN |
28650 |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
DFN56 |
380 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2038+ |
DFN56 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
询价 |
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