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AOT412	文件：315.6 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel SDMOSTM Power Transistor General Description The AOT412 and AOT412L is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpos 文件：315.6 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT412	文件：282.78 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DP2AK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 60A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 15.8mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimu 文件：282.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT412	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 100V N-Channel MOSFET SDMOS	AOS 美国万代	AOS
AOT412L	文件：315.6 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel SDMOSTM Power Transistor General Description The AOT412 and AOT412L is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpos 文件：315.6 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
100
VGS (±V)：
25
10V：
15.80
7V：
19.40
ID @ 25°C (A)：
60
PD @ 25°C (W)：
150
Qg (10V)(nC)：
45
VGS(th) max (V)：
3.80
Ciss (pF)：
2680
Coss (pF)：
260
Crss (pF)：
100
Qgd (nC)：
15
tD(on) (ns)：
19
tD(off) (ns)：
27
Trr (ns)：
22
Qrr (nC)：
96
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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