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厂商型号

AOT412

功能描述

N-Channel SDMOSTM Power Transistor

文件大小

315.6 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-6 17:48:00

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AOT412规格书详情

General Description

The AOT412 and AOT412L is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applications.

- RoHS Compliant

- AOT412L is Halogen Free

特性 Features

VDS (V) =100V

ID = 60A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 19.4mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON)

100 UIS Tested!

100 Rg Tested!

产品属性

  • 型号:

    AOT412

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 60A TO-220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SDMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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