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DP2AK

型号:AOT412;Package:TO-263;isc N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 60A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 15.8mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimu

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ISC

无锡固电

DP2AK

型号:DHG30IM600PC;Package:TO-263;Fast Recovery Rectifier

FEATURES • With TO-263(D2PAK) Package • Very short recovery time • High surge current capability • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Anti-parallel diode for high frequency switching devices • Uninterruptible Power Supplies

文件:304.82 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    DP2AK

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 60A TO-220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SDMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多DP2AK供应商 更新时间2025-8-7 17:25:00