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FDD6512A	文件：986.8 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDU6512A	文件：74.73 Kbytes Page：5 Pages	20VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FP6512	文件：74.55 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
HL6512MG	文件：95.43 Kbytes Page：4 Pages	VisibleHighPowerLaserDiode	OPNEXT Opnext. Inc.	OPNEXT
IT6512	文件：2.85637 Mbytes Page：10 Pages	DCPowerSupplies APPLICATIONS -AutomotiveElectronics -Civilavionics -ElectricVehicleBatteryTest -SolarPanelI-VCurveSimulation -BatterySimulation -LED	ITECHITECH ELECTRONIC CO.,LTD. 艾德克斯艾德克斯电子（南京）有限公司	ITECH
IT6512A	文件：2.85637 Mbytes Page：10 Pages	DCPowerSupplies APPLICATIONS -AutomotiveElectronics -Civilavionics -ElectricVehicleBatteryTest -SolarPanelI-VCurveSimulation -BatterySimulation -LED	ITECHITECH ELECTRONIC CO.,LTD. 艾德克斯艾德克斯电子（南京）有限公司	ITECH
IT6512C	文件：2.85637 Mbytes Page：10 Pages	DCPowerSupplies APPLICATIONS -AutomotiveElectronics -Civilavionics -ElectricVehicleBatteryTest -SolarPanelI-VCurveSimulation -BatterySimulation -LED	ITECHITECH ELECTRONIC CO.,LTD. 艾德克斯艾德克斯电子（南京）有限公司	ITECH
IT6512D	文件：2.85637 Mbytes Page：10 Pages	DCPowerSupplies APPLICATIONS -AutomotiveElectronics -Civilavionics -ElectricVehicleBatteryTest -SolarPanelI-VCurveSimulation -BatterySimulation -LED	ITECHITECH ELECTRONIC CO.,LTD. 艾德克斯艾德克斯电子（南京）有限公司	ITECH
KON6512	文件：310.78 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LA6512	文件：77.99 Kbytes Page：4 Pages	High-VoltageDualPowerOperationalAmplifiers? Overview LA6512(SIP10F)andLA6513(SIP10)arepoweroperationalamplifierICscapableofwithstandinghighvoltagesof±30V/1AandarebestsuitedforsuchvoltagedivisiondevicesasLCDdriversandgeneral-purposepoweroperationalamplifiers. Features •Highoutputcurrent(IOmax=1.0A).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
AON6512
功能描述：
MOSFET N CH 30V 30A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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