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AOTF4S60	文件：296.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU4S60	文件：457.25 Kbytes Page：7 Pages	600V4AaMOSPowerTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU4S60	文件：318.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW4S60	文件：344.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW4S60	文件：290.38 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW4S60&AOWF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythes	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOWF4S60	文件：290.38 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW4S60&AOWF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythes	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
SMA4S60AH	文件：333.03 Kbytes Page：6 Pages	400W,12V??60VSurfaceMountTransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
T4S60	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
AOD4S60
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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