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AOD4184	文件：1.00541 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET 文件：1.00541 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD4184	文件：2.73793 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.73793 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD4184_09	文件：292.55 Kbytes Page：6 Pages	40V N-Channel MOSFET 文件：292.55 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD4184A	文件：293.5 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：293.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD4184A	文件：1.69059 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.69059 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD4184A	文件：1.00447 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.00447 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD4185	文件：275.54 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：275.54 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD4185_12	文件：275.54 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：275.54 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD4182	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOD4184	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N-Channel MOSFET General Description\nThe AOD4184/AOI4184 used advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, those devices are well suited for high current load applications.Product Summary\nVDS 40V\nID(at VGS=10V) 5	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
7.50
4.5V：
11
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
36
PD @ 25°C (W)：
50
Qg (4.5V)(nC)：
9.50
VGS(th) max (V)：
2.50
Ciss (pF)：
1150
Coss (pF)：
180
Crss (pF)：
105
Qgd (nC)：
5
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
17
Trr (ns)：
8.70
Qrr (nC)：
13.50
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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