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AO3401A-HF	文件：1.81037 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.81037 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401L	文件：181.24 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A1**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product AO3401 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spe 文件：181.24 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401-SOT23-3L	文件：3.35325 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4.2 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：3.35325 Mbytes 页数：5 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
AO3401_11	文件：503.25 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：503.25 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401-3	文件：1.59184 Mbytes Page：4 Pages	丝印：A1*；Package：SOT-23-3；P-Channel Enhancement MOSFET 文件：1.59184 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401A	文件：496.27 Kbytes Page：5 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：496.27 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A	文件：242.15 Kbytes Page：5 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：242.15 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A_11	文件：242.15 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：242.15 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A-3	文件：1.34726 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.34726 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401A-HF-3	文件：1.84233 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.84233 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
50
4.5V：
60
2.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-4
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
7
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
-1.30
Ciss (pF)：
645
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
55
Qgd (nC)：
2.50
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
41
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
3.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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