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AO3401	文件：181.24 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product AO3401 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spe 文件：181.24 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401	文件：1.4447 Mbytes Page：3 Pages	30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-4.2A 文件：1.4447 Mbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
AO3401	文件：1.56526 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4.2 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.56526 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401	文件：356.09 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature ● -30V/-4.2A, RDS(ON) =55mΩ(MAX) @VGS = -10V. RDS(ON) = 70mΩ(MAX) @VGS = -4.5V. RDS(ON) =120mΩ(MAX) @VGS = -2.5V. ● Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) ● Reliable and Rugged ● SOT-23 for Surface Mount Package Applicati 文件：356.09 Kbytes 页数：5 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
AO3401	文件：1.04766 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：1.04766 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3401	文件：1.60001 Mbytes Page：5 Pages	丝印：B1H；Package：SOT23-3L；P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) =-30V ID =-4.2 A (VGS =-10V) RDS(ON) 文件：1.60001 Mbytes 页数：5 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
AO3401	文件：443.28 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets P-Channel MOSFET FEATURES • The AO3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. • This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 文件：443.28 Kbytes 页数：4 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
AO3401	文件：733.96 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product KSM3401 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 sp 文件：733.96 Kbytes 页数：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3401	文件：1.13665 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AO3401(4.2A) P-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：1.13665 Mbytes 页数：3 Pages	YIXIN 壹芯微	YIXIN
AO3401	文件：3.79248 Mbytes Page：6 Pages	丝印：A19T；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDs = -30V.ID = -4.2A RDS(ON) 文件：3.79248 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
50
4.5V：
60
2.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-4
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
7
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
-1.30
Ciss (pF)：
645
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
55
Qgd (nC)：
2.50
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
41
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
3.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO3401供应商更新时间2025-12-2 10:02:00

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