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AO3401	文件：1.13665 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AO3401(4.2A)P-ChannelMOSFET P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
AO3401	文件：356.09 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature ●-30V/-4.2A,RDS(ON)=55mΩ(MAX)@VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ●ReliableandRugged ●SOT-23forSurfaceMountPackage Applicati	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
AO3401	文件：1.56526 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.2A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3401	文件：443.28 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets P-ChannelMOSFET FEATURES •TheAO3401usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V. •Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch orinPWMapplications.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
AO3401	文件：1.04766 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO3401	文件：1.60001 Mbytes Page：5 Pages	丝印：B1H；Package：SOT23-3L；P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
AO3401	文件：3.79248 Mbytes Page：6 Pages	丝印：A19T；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDs=-30V.ID=-4.2A RDS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO3401	文件：985.9 Kbytes Page：4 Pages	P-Enhancement Field Effect Transistor Features HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON) Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent Excellentpackageforgoodheatdissipation Applications Powerswitchingapplication Hardswitchedandhighfrequencycircuits Uninterruptiblepowersupply	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO3401	文件：181.24 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3401usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductAO3401isPb-free(meetsROHS&Sony259spe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3401	文件：1.4447 Mbytes Page：3 Pages	30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-30V RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-4.2A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
50
4.5V：
60
2.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-4
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
7
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
-1.30
Ciss (pF)：
645
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
55
Qgd (nC)：
2.50
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
41
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
3.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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