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BF620	文件：125.6 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:50mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:300V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BF620	文件：552.67 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V). •Videooutputstages.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BF620	文件：1.49984 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowcurrent(max.50mA) Highvoltage(max.300V). Videooutputstages.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BF620	文件：320.82 Kbytes Page：11 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFP620	文件：665.57 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620	文件：350.51 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BFP620	文件：209.97 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor •HighlylinearlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •BasedonInfineonsreliablehighvolume SiliconGermaniumtechnology •IdealforCDMAandWLANapplications •Collectordesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620	文件：641.59 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：154.82 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：158.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor* •HighgainlownoiseRFtransistor •Smallpackage1.4x0.8x0.59mm •OutstandingnoisefigureF=0.7dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.3dBat6GHz •Maximumstablegain Gms=21dBat1.8GHz Gma=10dBat6GHz •Goldmetal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：154.82 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor* •HighgainlownoiseRFtransistor •Smallpackage1.4x0.8x0.59mm •OutstandingnoisefigureF=0.7dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.3dBat6GHz •Maximumstablegain Gms=21dBat1.8GHz Gma=10dBat6GHz •Goldmetal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP620F	文件：629.26 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BL620	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	CentralModeBLEModuleFeaturingsmartBASIC	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BL620-SA	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	CentralModeBLEModuleFeaturingsmartBASIC	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BL620-SC	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	CentralModeBLEModuleFeaturingsmartBASIC	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BL620-ST	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	CentralModeBLEModuleFeaturingsmartBASIC	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BL620-US	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	CentralModeBLEModuleFeaturingsmartBASIC	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BRUS620	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi edi	edi
BT-620	文件：9.23612 Mbytes Page：2 Pages	Bench-TopParticleCounter	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BUF620	文件：94.99 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
AD620BN
功能描述：
IC AMP INST LP LN 18MA 8DIP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
2,500
系列：
Excalibur™
放大器类型：
J-FET
电路数：
1
输出类型：
-
转换速率：
45 V/µs
增益带宽积：
10MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
20pA 电压 -
输入偏移：
490µV 电流 -
电源：
1.7mA 电流 -
输出/通道：
48mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

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更多AD620BN供应商更新时间2024-5-15 15:36:00

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