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BL620	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	Central Mode BLE Module Featuring smartBASIC 文件：403.44 Kbytes 页数：1 Pages	LSTD 莱尔德	LSTD
BL6203GITLX	文件：251.89 Kbytes Page：17 Pages	Fully differential amplifier 文件：251.89 Kbytes 页数：17 Pages	BELLING 上海贝岭	BELLING
BL6203ITLX	文件：251.89 Kbytes Page：17 Pages	Fully differential amplifier 文件：251.89 Kbytes 页数：17 Pages	BELLING 上海贝岭	BELLING
BL620-SA	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	Central Mode BLE Module Featuring smartBASIC 文件：403.44 Kbytes 页数：1 Pages	LSTD 莱尔德	LSTD
BL620-SC	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	Central Mode BLE Module Featuring smartBASIC 文件：403.44 Kbytes 页数：1 Pages	LSTD 莱尔德	LSTD
BL620-ST	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	Central Mode BLE Module Featuring smartBASIC 文件：403.44 Kbytes 页数：1 Pages	LSTD 莱尔德	LSTD
BL620-US	文件：403.44 Kbytes Page：1 Pages	Central Mode BLE Module Featuring smartBASIC 文件：403.44 Kbytes 页数：1 Pages	LSTD 莱尔德	LSTD
BL6202P-3DL8	文件：300 bytes Page：1 Pages	3A, 60V, 2.5W, P Channel, Power MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
BL6202PD	文件：300 bytes Page：1 Pages	10A, 60V, 21W, P Channel, Power MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
BL6202PDF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V, P Channel MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
Channel Polarity：
P
ESD：
/
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
0.35
V(BR)DSS(V)Min.：
-60
VGS(V)Max.：
±20
ID(A)Max.：
-1.9
IGSS(uA)Max.：
±0.1
VGS(th)(V)Max.：
-3
RDS(on)(mΩ)@10VTyp.：
131
RDS(on)(mΩ)@10VMax.：
150
RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.：
165
RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.：
200
ECCN(US)：
EAR99
Category：
中低压功率MOS

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